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1 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T 4023-2015 7.1.3.1 击穿电压V（BR）
2 半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第1节 1 反向漏电流IR
3 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T 4023-2015 7.1.4.1 反向漏电流 IR
4 半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第2节 4 反向漏电流IR
5 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-19974016 反向漏电流 IR
6 半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第2节 1 工作电压VZ
7 半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第2节 2 微分电阻RZ
8 半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第1节 2 正向电压VF
9 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T 4023-2015 7.1.2.1 正向电压 VF
10 半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 第Ⅳ章第2节 5 正向电压VF
11 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-19974011 正向电压 VF
12 半导体器件 分立器件第3部：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T6571-1995 第IV章第3节 击穿电压
13 半导体器件 分立器件第3部：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T6571-1995 第IV章第1节/第2节 反向电流
14 半导体器件 分立器件第3部：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T6571-1995 第IV章第2节 工作电压
15 半导体器件 分立器件第3部：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T6571-1995 第IV章第1节/第2节 正向电压
