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1 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997方法2076 X射线照相检验
2 微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996方法2012A X射线照相检验
3 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005方法2012.1 X射线照相检验
4 电子及电气元件试验方法 GJB 360A-1996方法209 X射线照相检验
5 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009方法209 X射线照相检验
6 微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996方法1018 内部水汽含量
7 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005方法1018.1 内部水汽含量
8 微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996方法2010A、2013、2014或2017A 内部目检
9 微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996方法2003A或2022A 可焊性
10 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2003.1或2022.2 可焊性
11 电子及电气元件试验方法 GJB 360A-1996方法208 可焊性
12 半导体器件机械和气候试验方法 第21部分：可焊性GB/T4937.21-2018 第21部分 可焊性
13 半导体器件机械和气候试验方法 第3部分：外部目检GB/T4937.3-2012 第3部分 外部目检
14 微电子器件试验方法和程序 GJB548A-1996 方法1014A 密封
15 电子及电气元件试验方法 GJB 360A-1996方法112 密封
